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IXFH/IXFT 12N100Q
IXFH/IXFT 10N100Q
12
5000
10
V DS = 500V
I D = 6A
2500
Ciss
f = 1MHz
8
6
1000
500
Coss
4
2
250
100
Crss
0
0
20
40
60
80
100
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Figure 7. Gate Charge
30
25
100
V DS - Volts
Figure 8. Capacitance Curves
T J = 125 C
20
15
O
10
0.1ms
1ms
T J = 25 C
T C = 25 C
10
O
1
O
10ms
100ms
5
0
0.1
DC
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
100
1000
V SD - Volts
Figure 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
1
D=0.5
V DS - Volts
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
0.001
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
Figure 11. Transient Thermal Resistance
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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